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El fabricante chino de memorias afirma ofrecer memoria para juegos DDR5 con velocidades superiores a los 10.000 MHz

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El fabricante chino de memorias y productos flash, Netac, ha afirmado que ofrecerán memoria DDR5 para juegos con velocidades superiores a los 10.000 MHz. La compañía OEM anunció ayer que, al igual que varios otros fabricantes de memoria, también han recibido su primer parche de DRAM DDR5.

Netac recibe el primer lote de DRAM DDR5 y afirma ofrecer memoria DDR5 para juegos con velocidades de más de 10,000 MHz

ITHome Recibí la noticia de Netac de que habían recibido su primer lote de DRAM DDR5 de Micron. Con este lote inicial, Netac puede entrar oficialmente en la etapa de desarrollo de productos de memoria basados ​​en DRAM DDR5.

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La DRAM DDR5 que recibió la empresa tiene el código de producto IFA45 Z9ZSB, que es ES IC según la información del sitio web de Micron. Cada DRAM tiene una capacidad de 2Gx8 y está clasificada para operar en tiempos CL40. Los chips DRAM DDR5 se basan en el nodo de 1znm y miden 11×9 mm o 99 mm2.

Actualmente, Netac ofrece algunos productos de memoria DDR4, pero afirman ofrecer memoria DDR5 para juegos con velocidades superiores a los 10,000 MHz. Será interesante ver a Netac lograr esto, ya que las velocidades nativas de DDR5 serán de 4800 MHz y pasar a 10,000 MHz significa ofrecer el doble de velocidades. No es imposible, ya que la memoria DDR4 comenzó a 2133 MHz y hemos visto a varios fabricantes ofrecer kits que tienen una clasificación de hasta DDR4-5333 MHz que se pueden impulsar más allá de DDR4-6000 MHz con cierta experiencia en overclocking.

T-Force había declarado anteriormente que la memoria DDR5 tiene mucho más espacio para el ajuste de voltaje cuando se trata de soporte de overclocking. Esto se debe principalmente a los IC de administración de energía mejorados (PMIC) que permiten voltajes superiores a 2.6V. También se detalla que los módulos de memoria DDR4 existentes manejaron su conversión de voltaje a través de la placa base, pero eso cambia con el nuevo estándar DRAM. Los componentes que se requieren para la conversión de voltaje ahora se mueven a la memoria DIMM en sí, lo que reduce el desgaste de voltaje y la generación de ruido y, al mismo tiempo, ofrece un mayor espacio para el overclocking.

Con la producción en masa ahora en marcha, podemos esperar que la memoria DDR5 esté lista para las plataformas de consumo, como las CPU Alder Lake de 12a generación de Intel y la plataforma de placa base Z690 respectiva en la segunda mitad de este año.

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