SK hynix presenta LPDDR5T Mobile DRAM: T para Turbo con un 13 % más de rendimiento, 1,01 V con velocidades de 9600 Mbps

SK hynix ha anunciado el desarrollo de LPDDR5T DRAM, que se dice que es la solución de memoria más rápida del mundo para dispositivos móviles.

SK hynix desarrolla LPDDR5T, la DRAM móvil más rápida del mundo con un 13 % más de rendimiento y mayor eficiencia

Comunicado de prensa: SK hynix Inc. (o «la empresa», www.skhynix.com) anunció hoy que desarrolló la DRAM móvil más rápida del mundo ‘LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo)’ y proporcionó productos de muestra a los clientes.

El nuevo producto, LPDDR5T, opera a una velocidad de datos de 9,6 gigabits por segundo (Gbps), un 13 % más rápido que la generación anterior LPDDR5X* presentada en noviembre de 2022. Para resaltar la velocidad máxima que presenta el producto, SK hynix agregó ‘Turbo’ en el final del nombre estándar LPDDR5.

* LPDDR: DRAM de bajo consumo para dispositivos móviles, incluidos teléfonos inteligentes y tabletas, cuyo objetivo es minimizar el consumo de energía y cuenta con operación de bajo voltaje. LPDDR5X DRAM es el producto de séptima generación, que sucede a la serie que termina con 1, 2, 3, 4, 4X y 5. LPDDR5T es una versión recientemente desarrollada por SK hynix, que es un producto actualizado de la séptima generación (5X) antes del desarrollo de la octava generación LPDDR6.

LPDDR5T, que opera en el rango de voltaje ultra bajo de 1.01 a 1.12 V establecido por el JEDEC (Consejo Conjunto de Ingeniería de Dispositivos Electrónicos), es un producto que no solo presenta la máxima velocidad sino también un consumo de energía ultra bajo.

“La compañía llevó la tecnología a nuevos límites en solo dos meses después de que LPDDR5X, DRAM móvil con especificación de 8,5 Gbps, se introdujera en el mercado en noviembre de 2022”, dijo SK hynix. “Consolidaremos nuestro liderazgo en el mercado de DRAM móvil al ofrecer productos de diversas capacidades de almacenamiento que satisfagan las necesidades de los clientes”.

SK hynix dijo que proporcionó a los clientes muestras de un paquete de chips múltiples de 16 gigabytes (GB), que combina múltiples chips LPDDR5T en un solo paquete. El producto empaquetado puede procesar 77 GB de datos por segundo, lo que equivale a transferir quince películas FHD (Full-HD) en un segundo.

SK hynix planea comenzar la producción en masa de LPDDR5T usando 1anm, la cuarta generación de la tecnología de 10nm, en la segunda mitad del año.

Mientras tanto, SK hynix ha integrado nuevamente el proceso HKMG (High-K Metal Gate)* en el producto más reciente que permitió que el nuevo producto ofreciera el mejor rendimiento, y espera que LPDDR5T, que amplió sustancialmente la brecha tecnológica, “lidere el mercado antes del desarrollo de la próxima generación LPDDR6”.

* HKMG: un proceso de próxima generación que utiliza un material con una constante dieléctrica alta (K) en la película aislante dentro de los transistores DRAM para evitar corrientes de fuga y mejorar la capacitancia. Reduce el consumo de energía mientras aumenta la velocidad. SK hynix se convirtió en el primero de la industria en integrar el proceso en DRAM móvil en noviembre de 2022.

La industria de TI pronostica una demanda creciente de chips de memoria con especificaciones avanzadas a medida que el mercado de teléfonos inteligentes 5G se expande aún más. En esta tendencia, SK hynix espera que la aplicación de LPDDR5T se expanda más allá de los teléfonos inteligentes hacia la inteligencia artificial (AI), el aprendizaje automático y la realidad virtual/aumentada (AR/VR).

“Con el desarrollo de LPDDR5T, la empresa ha satisfecho la demanda de los clientes de productos de ultra alto rendimiento”, dijo Sungsoo Ryu, jefe de planificación de productos DRAM de SK hynix. «Seguiremos trabajando en el desarrollo de tecnología para liderar el mercado de semiconductores de próxima generación y convertirnos en el punto de inflexión en el mundo de TI».

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